ประเทศจีน สารกึ่งตัวนำไม่ต่อเนื่อง

• 

  MMDT5211W

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  MMBTRC102SS-AQ

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  เอ็มเอ็มบีทรา104เอสเอส

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  MMBTRC116SS

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  MMBTRC119SS

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  BCR133WE6327

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  แพ็คเกจ:ขนาดใหญ่

  ติดต่อตอนนี้
• 

  BCR108WH6433

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  PDTD114EU115

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ชุด:*

  Mfr:เอ็นเอ็กซ์พี ยูเอสเอ อิงค์

  ติดต่อตอนนี้
• 

  PDTD113ZQA147

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ชุด:*

  Mfr:เอ็นเอ็กซ์พี ยูเอสเอ อิงค์

  ติดต่อตอนนี้
• 

  BCR141W

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  BCR135E6433

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้
• 

  BCR158WE6327

  ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ

  ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):100 มิลลิแอมป์

  สถานะสินค้า:กิจกรรม

  ติดต่อตอนนี้