|
รายละเอียดสินค้า:
การชำระเงิน:
|
| ประเภทของแพคเกจ: | SOIC-14 | ช่วงแรงดันไฟฟ้า: | 3V ถึง 36V |
|---|---|---|---|
| จํานวนช่องทาง: | สี่ช่อง |
NCV2901DR2G เป็นส่วนหนึ่งของตระกูลชิปเปรียบเทียบแบบแอนาล็อก โดยเฉพาะวงจรอินทิกรีต (IC) ที่มีการออกแบบ 4 ช่องทาง ความสามารถในการระบายไฟฟ้าแบบเดียวและช่วงความกระชับกําลังจาก 3V ถึง 36Vชิปนี้ใช้แพคเกจ SOIC-14 ซึ่งมีลักษณะและคุณสมบัติมากมาย ทําให้มันเหมาะสําหรับการใช้งานเปรียบเทียบในอุปกรณ์และวงจรอิเล็กทรอนิกส์ที่หลากหลาย
นี่คือบางรายการและคุณสมบัติสําคัญของชิป NCV2901DR2G:
ผู้ผลิต: ON Semiconductor
ประเภทแพคเกจ: SOIC-14 (แพคเกจวงจรบูรณาการแบบเล็กที่มี 14 ปิน)
ระยะความกระชับกําลังไฟฟ้า: 3V ถึง 36V (ไฟฟ้าเดียว) หรือ ±1.5V ถึง ±18V (ไฟฟ้าคู่)
จํานวนช่อง: 4 ช่อง
ประเภทผลิต: เครื่องสะสมเปิด
เวลาตอบสนอง: ปกติเร็ว แต่ค่าเฉพาะเจาะจงควรอ้างอิงในใบข้อมูล
ความสอดคล้องกับ RoHS: สอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS (จํากัดการใช้สารอันตรายบางอย่าง)
ระยะอุณหภูมิการทํางาน: ปกติกว้าง เช่น -40 °C ถึง +105 °C (ค่าแม่นยําควรอ้างอิงในใบข้อมูล)
ผู้ติดต่อ: Liu Guo Xiong
โทร: +8618200982122
แฟกซ์: 86-755-8255222
