100V BUK7240-100A,118 ชิป MOSFET ความต้านทานต่ําสําหรับอิเล็กทรอนิกส์พลังงาน

BUK7240-100A118 เป็นของประเภทของชิป MOSFET (ทรานซิสเตอร์ผลสนามโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งนํา)ชิปนี้ถูกผลิตโดย Nexperia และมีชุดของลักษณะไฟฟ้าเฉพาะเจาะจงและรายละเอียดการบรรจุ

นี่คือบางปริมาตรและลักษณะสําคัญของชิป BUK7240-100A 118 ในภาษาอังกฤษ:

1. คุณสมบัติไฟฟ้า:
   • ความดันของแหล่งระบายน้ํา (Vdss): 100 วอลต์
   • คอนเทนตูม ดรีนคอเรนต์ (Id): สูงสุด 34A (Tc) ในอุณหภูมิ 25°C
   • ความดันขั้นต่ํา Gate-Source (Vgs th): 4V @ 1mA
   • ความต้านทานการเปิดแหล่งระบายน้ํา (Rds On): 40mΩ @ 25A, 10V
   • การระบายพลังงานสูงสุด (Pd): สูงสุด 114W (Tc) ที่ Ta=25°C
2. รายละเอียด Packaging:
   • รูปแบบแพคเกจอาจรวม SOT428, DPAK, SOT-252 ฯลฯ ขึ้นอยู่กับผู้จําหน่ายหรือชุดที่แตกต่างกัน
   • วัสดุของกระเป๋าบรรจุโดยทั่วไปเป็นพลาสติก / เอโป็กซี่, ให้ความคุ้มกันและคุณสมบัติการระบายความร้อนที่ดี
3. ระยะอุณหภูมิการทํางาน:
   • อุณหภูมิการทํางานขั้นต่ํา: -55°C
   • อุณหภูมิการทํางานสูงสุด: +175°C
4. ลักษณะอื่น ๆ:
   • โหมดช่อง: โหมดการขยาย
   • ทรานซิสเตอร์โพลาริตี้: ช่อง N
   • RoHS: ใช่ (ระบุความสอดคล้องกับแนวทาง RoHS ของสหภาพยุโรป ซึ่งจํากัดการใช้สารอันตรายบางชนิด)

ชิป BUK7240-100A 118 ด้วยความสามารถในการจัดการกับกระแสไฟฟ้าที่สูง ความต้านทานต่ํา และช่วงอุณหภูมิการทํางานที่กว้างขวางการจัดการพลังงาน, และสนามอื่น ๆ สามารถใช้เป็นองค์ประกอบสลับในการควบคุมสถานะ ON / OFF ของวงจร, ทําให้สามารถควบคุมและควบคุมการไหลของกระแสแม่นยํา.