71V65803S150BQG

Name: 71V65803S150BQG
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

เอ็มซียู ไอซี
(217)

ตัวเชื่อมต่อ FFC FPC
(3667)

คล็อค FANOUT BUFFER
(2459)

ออดิโอ เป้าหมายพิเศษ
(1050)

ไอซีการรับข้อมูล
(1000)

ICS ที่ติดตั้ง
(1000)

ไอซีอินเทอร์เฟซ
(1000)

ไอซีเชิงเส้น
(950)

IC หลอกลogic
(894)

IC ความจํา
(984)

การจัดการพลังงาน
(939)

RF และไร้สาย
(995)

อุปกรณ์รับรู้อุณหภูมิ IC
(1000)

ตัวคูณความถี่
(934)

ไอซีป้องกันวงจร
(992)

สารกึ่งตัวนำไม่ต่อเนื่อง
(911)

เครื่องประปาพอลิเมอร์
(700)

เซ็นเซอร์ฉายเสียง
(1000)

ไอซีวงจรรวม
(1000)

การป้องกันวงจร
(692)

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
(1000)

เครื่องเชื่อมโคเอชเชียล
(400)

ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
(853)

เครื่องกรองเซรามิก Murata
(757)

อินดูเตอร์ สายโค้ล หงุดหงิด
(950)

เครื่องเชื่อม MIL Spec
(890)

วงจรรวม ICS
(27)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ภาพใหญ่ : 71V65803S150BQG

รายละเอียดสินค้า: การชำระเงิน:

คําอธิบาย:	ไอซี SRAM 9MBIT พาร์ 165CABGA

ติดต่อ

ลักษณะ

ประเภท:	เครื่องวงจรบูรณาการ (IC) ความจํา ความจํา	ขนาดหน่วยความจำ:	9เมกะบิต
สถานะสินค้า:	กิจกรรม	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่	ชุด:	-
โปรแกรม DigiKey:	ไม่ยืนยัน	อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ:	ขนาน
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า:	-	แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	165-CABGA (13x15)
ประเภทหน่วยความจำ:	ระเหย	Mfr:	IDT บริษัท เทคโนโลยีอุปกรณ์รวม
ความถี่นาฬิกา:	150 เมกะเฮิรตซ์	โลเตจ - การให้บริการ:	3.135V ~ 3.465V
เข้าถึงเวลา:	3.8 น	กล่อง / กระเป๋า:	165-TBGA
องค์การหน่วยความจำ:	512K x 18	อุณหภูมิการทํางาน:	0°C ~ 70°C (TA)
เทคโนโลย:	SRAM - ซิงโครนัส, SDR (ZBT)	เลขสินค้าพื้นฐาน:	71V65803
รูปแบบหน่วยความจำ:	แรม