HN1B01F-Y(TE85L,F)

Name: HN1B01F-Y(TE85L,F)
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

เอ็มซียู ไอซี
(217)

ตัวเชื่อมต่อ FFC FPC
(3667)

คล็อค FANOUT BUFFER
(2459)

ออดิโอ เป้าหมายพิเศษ
(1050)

ไอซีการรับข้อมูล
(1000)

ICS ที่ติดตั้ง
(1000)

ไอซีอินเทอร์เฟซ
(1000)

ไอซีเชิงเส้น
(950)

IC หลอกลogic
(894)

IC ความจํา
(984)

การจัดการพลังงาน
(939)

RF และไร้สาย
(995)

อุปกรณ์รับรู้อุณหภูมิ IC
(1000)

ตัวคูณความถี่
(934)

ไอซีป้องกันวงจร
(992)

สารกึ่งตัวนำไม่ต่อเนื่อง
(911)

เครื่องประปาพอลิเมอร์
(700)

เซ็นเซอร์ฉายเสียง
(1000)

ไอซีวงจรรวม
(1000)

การป้องกันวงจร
(692)

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
(1000)

เครื่องเชื่อมโคเอชเชียล
(400)

ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
(853)

เครื่องกรองเซรามิก Murata
(757)

อินดูเตอร์ สายโค้ล หงุดหงิด
(950)

เครื่องเชื่อม MIL Spec
(890)

วงจรรวม ICS
(27)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

HN1B01F-Y(TE85L,F)

ภาพใหญ่ : HN1B01F-Y(TE85L,F)

รายละเอียดสินค้า: การชำระเงิน:

คําอธิบาย:	ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A

ติดต่อ

HN1B01F-Y(TE85L,F)

ลักษณะ

ขั้วทรานซิสเตอร์ ::	พนง	ประเภทสินค้า ::	ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ - BJT
สไตล์การติดตั้ง ::	เอสเอ็มดี/SMT	กระแสไฟสะสมกระแสตรงสูงสุด::	150 ม.ม
แรงดันสะสม- ตัวส่ง VCEO สูงสุด ::	50 โวลต์	บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::	เอสเอ็ม-6
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::	+ 125 ซ	รับผลิตภัณฑ์แบนด์วิธ ft::	80 เมกะเฮิรตซ์
การกำหนดค่า::	ดูอัล	แรงดันสะสม- ฐาน VCBO ::	50 โวลต์
ชุด ::	HN1B01	แรงดันไฟฟ้าของตัวส่งสัญญาณ- ฐาน VEBO::	5 โวลต์
แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวปล่อย::	0.1 โวลต์	ผู้ผลิต ::	โตชิบา

HN1B01F-Y(TE85L,F) จากโตชิบา เป็นไบโพลาร์ ทรานซิสเตอร์ - BJT สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!

แท็ก:

ผู้ติดต่อ: Liu Guo Xiong

โทร: +8618200982122

แฟกซ์: 86-755-8255222