ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

JANS1N6641

JANS1N6641
JANS1N6641

ภาพใหญ่ :  JANS1N6641

รายละเอียดสินค้า: การชำระเงิน:
คําอธิบาย: ไดโอเด่ GEN PURP 100V 300MA DO35

JANS1N6641

ลักษณะ
ประเภท: ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว สถานะสินค้า: กิจกรรม
กระแส - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr: 100 nA @ 50 โวลต์ ประเภทการติดตั้ง: ผ่านหลุม
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า: 1.1 โวลต์ @ 200 มิลลิแอมป์ แพ็คเกจ: ขนาดใหญ่
ชุด: ทหาร MIL-PRF-19500/609 ความจุ @ Vr, F: -
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: ดีโอ-35 (ดีโอ-204AH) เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr): 5 น
Mfr: เทคโนโลยีไมโครชิป เทคโนโลย: มาตรฐาน
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก: -65°C ~ 175°C กล่อง / กระเป๋า: DO-204AH, DO-35, แกน
แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด): 100 โวลต์ ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io): 300mA
ความเร็ว: การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)

ไดโอเดส 100 V 300mA ผ่านรู DO-35 (DO-204AH)

รายละเอียดการติดต่อ
Sensor (HK) Limited

ผู้ติดต่อ: Liu Guo Xiong

โทร: +8618200982122

แฟกซ์: 86-755-8255222

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ