JANS1N5420US

Name: JANS1N5420US
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

เอ็มซียู ไอซี
(217)

ตัวเชื่อมต่อ FFC FPC
(3667)

คล็อค FANOUT BUFFER
(2459)

ออดิโอ เป้าหมายพิเศษ
(1050)

ไอซีการรับข้อมูล
(1000)

ICS ที่ติดตั้ง
(1000)

ไอซีอินเทอร์เฟซ
(1000)

ไอซีเชิงเส้น
(950)

IC หลอกลogic
(894)

IC ความจํา
(984)

การจัดการพลังงาน
(939)

RF และไร้สาย
(995)

อุปกรณ์รับรู้อุณหภูมิ IC
(1000)

ตัวคูณความถี่
(934)

ไอซีป้องกันวงจร
(992)

สารกึ่งตัวนำไม่ต่อเนื่อง
(911)

เครื่องประปาพอลิเมอร์
(700)

เซ็นเซอร์ฉายเสียง
(1000)

ไอซีวงจรรวม
(1000)

การป้องกันวงจร
(692)

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
(1000)

เครื่องเชื่อมโคเอชเชียล
(400)

ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
(853)

เครื่องกรองเซรามิก Murata
(757)

อินดูเตอร์ สายโค้ล หงุดหงิด
(950)

เครื่องเชื่อม MIL Spec
(890)

วงจรรวม ICS
(27)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

ภาพใหญ่ : JANS1N5420US

รายละเอียดสินค้า: การชำระเงิน:

คําอธิบาย:	DIODE GEN PURP 600V 3A B SQ-MELF

ติดต่อ

ลักษณะ

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ไดโอด วงจรเรียงกระแส ไดโอดเดี่ยว	สถานะสินค้า:	กิจกรรม
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก:	-65°C ~ 175°C	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แรงดัน - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า:	1.5V@9A	แพ็คเกจ:	ขนาดใหญ่
ชุด:	ทหาร MIL-PRF-19500/411	ความจุ @ Vr, F:	-
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	B, SQ-MELF	เวลาการกู้คืนย้อนกลับ (trr):	400 น
Mfr:	เทคโนโลยีไมโครชิป	เทคโนโลย:	มาตรฐาน
กล่อง / กระเป๋า:	SQ-MELF, บี	แรงดัน - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด):	600 โวลต์
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io):	3A	ความเร็ว:	การกู้คืนอย่างรวดเร็ว =< 500ns, > 200mA (Io)