|
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) อาร์เรย์ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์ | ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด): | 2A |
|---|---|---|---|
| สถานะสินค้า: | กิจกรรม | ประเภททรานซิสเตอร์: | 2 PNP (คู่) |
| ประเภทการติดตั้ง: | การติดตั้งพื้นผิว | ความถี่ - การเปลี่ยน: | 100MHz |
| แพ็คเกจ: | ขนาดใหญ่ | ชุด: | - |
| ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic: | 500mV @ 200mA, 2A | แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด): | 60V |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | 6-ฮัสซัน (2x2) | Mfr: | เอ็นเอ็กซ์พี ยูเอสเอ อิงค์ |
| ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด): | 100nA (ไอซีบีโอ) | กำลัง - สูงสุด: | 510มิลลิวัตต์ |
| กล่อง / กระเป๋า: | 6-UFDFN แผ่นสัมผัส | อุณหภูมิการทํางาน: | 150°C (ทีเจ) |
| กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce: | 110 @ 1A, 2V | เลขสินค้าพื้นฐาน: | PBSS5260 |
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 2A 100MHz 510mW พื้นที่ติด 6-HUSON (2x2)
ผู้ติดต่อ: Miss. Coral
โทร: +86 15211040646