เอ็มเอ็มบีทรา102เอสเอส

Name: เอ็มเอ็มบีทรา102เอสเอส
Brand: Sensor (HK) Limited
Availability: InStock

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

เอ็มซียู ไอซี
(217)

ตัวเชื่อมต่อ FFC FPC
(3667)

คล็อค FANOUT BUFFER
(2459)

ออดิโอ เป้าหมายพิเศษ
(1050)

ไอซีการรับข้อมูล
(1000)

ICS ที่ติดตั้ง
(1000)

ไอซีอินเทอร์เฟซ
(1000)

ไอซีเชิงเส้น
(950)

IC หลอกลogic
(894)

IC ความจํา
(984)

การจัดการพลังงาน
(939)

RF และไร้สาย
(995)

อุปกรณ์รับรู้อุณหภูมิ IC
(1000)

ตัวคูณความถี่
(934)

ไอซีป้องกันวงจร
(992)

สารกึ่งตัวนำไม่ต่อเนื่อง
(911)

เครื่องประปาพอลิเมอร์
(700)

เซ็นเซอร์ฉายเสียง
(1000)

ไอซีวงจรรวม
(1000)

การป้องกันวงจร
(692)

ออปโตอิเล็กทรอนิกส์
(1000)

เครื่องเชื่อมโคเอชเชียล
(400)

ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน
(853)

เครื่องกรองเซรามิก Murata
(757)

อินดูเตอร์ สายโค้ล หงุดหงิด
(950)

เครื่องเชื่อม MIL Spec
(890)

วงจรรวม ICS
(27)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

เอ็มเอ็มบีทรา102เอสเอส

ภาพใหญ่ : เอ็มเอ็มบีทรา102เอสเอส

รายละเอียดสินค้า: การชำระเงิน:

คําอธิบาย:	ดิจิตอล TR SOT-23 50V 100MA

ติดต่อ

เอ็มเอ็มบีทรา102เอสเอส

ลักษณะ

ประเภท:	ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ ไบโพลาร์ (BJT) ทรานซิสเตอร์แบบไบโพลาร์แบบพรีไบอัสแบบ	ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):	100 มิลลิแอมป์
สถานะสินค้า:	กิจกรรม	ประเภททรานซิสเตอร์:	PNP - พรีไบแอส
ความถี่ - การเปลี่ยน:	200 MHz	ประเภทการติดตั้ง:	การติดตั้งพื้นผิว
แพ็คเกจ:	แผ่น	ชุด:	-
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic:	-	แรงดัน - การแยกอิมิตเตอร์ของตัวสะสม (สูงสุด):	50 โวลต์
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย:	สท-23-3 (TO-236)	ตัวต้านทาน - ฐาน (R1):	10 กิโลโอห์ม
Mfr:	ไดโอเทคเซมีคอนดักเตอร์	ตัวต้านทาน - ฐานอิมิตเตอร์ (R2):	10 กิโลโอห์ม
ปัจจุบัน - คอลเลคเตอร์คัตออฟ (สูงสุด):	500nA	กำลัง - สูงสุด:	200 เมกะวัตต์
กล่อง / กระเป๋า:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	กระแส DC เพิ่มขึ้น (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce:	50 @ 10mA, 5V
เลขสินค้าพื้นฐาน:	เอ็มเอ็มบีทรา102