ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

SPB73N03S2L-08

SPB73N03S2L-08
SPB73N03S2L-08

ภาพใหญ่ :  SPB73N03S2L-08

รายละเอียดสินค้า: การชำระเงิน:
คําอธิบาย: มอสเฟต N-CH 30V 73A TO263-3

SPB73N03S2L-08

ลักษณะ
ประเภท: ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET คุณสมบัติ FET: -
Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: 2V @ 55µA อุณหภูมิการทํางาน: -55°C ~ 175°C (TJ)
กล่อง / กระเป๋า: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: 46.2 นาโนซี @ 10 โวลต์
ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 36A, 10V ประเภท FET: N-ช่อง
แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds): 4.5V, 10V แพ็คเกจ: เทป & รีล (TR)
ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): 30 โวลต์ Vgs (สูงสุด): ±20V
สถานะสินค้า: ปราศการ ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: 1710 pF @ 25 โวลต์
ประเภทการติดตั้ง: การติดตั้งพื้นผิว ชุด: OptiMOS™
แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: PG-TO263-3-2 Mfr: อินฟินไอน เทคโนโลยี
ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C: 73A (ทีซี) การกระจายพลังงาน (สูงสุด): 107W (TC)
เทคโนโลย: MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ) เลขสินค้าพื้นฐาน: SPB73N

N-Channel 30 V 73A (Tc) 107W (Tc) พื้นที่ติดตั้ง PG-TO263-3-2

รายละเอียดการติดต่อ
SHENZHEN ECER NETWORK TECHNOLOGY CO.,LTD

ผู้ติดต่อ: Miss. Coral

โทร: +86 15211040646

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ