|
| ประเภท: | ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET | คุณสมบัติ FET: | - |
|---|---|---|---|
| Vgs(th) (สูงสุด) @ รหัส: | 3.9V @ 200µA | อุณหภูมิการทํางาน: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| กล่อง / กระเป๋า: | TO-220-3 | ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs: | 25 เอ็นซี @ 10 โวลต์ |
| ถ.บน (สูงสุด) @ Id, Vgs: | 950mOhm @ 2.8A, 10V | ประเภท FET: | N-ช่อง |
| แรงดันไดรฟ์ (เปิด Max Rds เปิด Min Rds): | 10V | แพ็คเกจ: | ท่อ |
| ระบายไปยังแหล่งจ่ายแรงดัน (Vdss): | 650 โวลต์ | Vgs (สูงสุด): | ±20V |
| สถานะสินค้า: | ปราศการ | ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds: | 490 pF @ 25 V |
| ประเภทการติดตั้ง: | ผ่านหลุม | ชุด: | คูลมอส™ |
| แพ็คเกจอุปกรณ์ของผู้จําหน่าย: | PG-TO220-3-1 | Mfr: | อินฟินไอน เทคโนโลยี |
| ปัจจุบัน - ท่อระบายน้ำต่อเนื่อง (Id) @ 25°C: | 4.5A (ทีซี) | การกระจายพลังงาน (สูงสุด): | 50W (ทีซี) |
| เทคโนโลย: | MOSFET (ออกไซด์ของโลหะ) | เลขสินค้าพื้นฐาน: | เอสพีพี04เอ็น |
N-Channel 650 V 4.5A (Tc) 50W (Tc) ผ่านช่อง PG-TO220-3-1
ผู้ติดต่อ: Liu Guo Xiong
โทร: +8618200982122
แฟกซ์: 86-755-8255222