ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):430 ก
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):200 ก
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):285 อ
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):75 ก
สถานะสินค้า:กิจกรรม
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):285 อ
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):200 ก
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):275 ก
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT โมดูล IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):1130 A
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT อาร์เรย์ IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):40 ก
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ IGBT อาร์เรย์ IGBT
ปัจจุบัน - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด):34 ก
สถานะสินค้า:กิจกรรม
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET
ค่าเกท (Qg) (สูงสุด) @ Vgs:240 เอ็นซี @ 10 โวลต์
สถานะสินค้า:ปราศการ
ประเภท:ผลิตภัณฑ์เซมิคอนดักเตอร์แบบแยกส่วน ทรานซิสเตอร์ FET, MOSFETs FET เดี่ยว, MOSFET
คุณสมบัติ FET:-
สถานะสินค้า:ปราศการ