MMRF1314HR5

MMRF1314HR5 เป็นทรานซิสเตอร์ประสิทธิภาพ RF ที่ผลิตโดย NXP ซึ่งถูกออกแบบมาโดยเฉพาะสําหรับการใช้งาน RF ที่ประสิทธิภาพสูง มีรายละเอียดของสินค้าดังนี้:

ปริมาตรพื้นฐาน

• ประเภทสินค้า: ทรานซิสเตอร์ RF MOSFET (ทรานซิสเตอร์คลื่นคลื่นรังสีโลหะ-ออกไซด์-ครึ่งนํารังสี)
• ผู้ผลิต: NXP
• ความขั้ว: ช่อง N
• แพ็คเกจ: SOT1787
• เทคโนโลย: LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)

ปริมาตรไฟฟ้า

• ความถี่ในการทํางาน: 1200 ถึง 1400 MHz
• พลังการออก: 1000 วัตต์ (สูงสุด)
• การเพิ่มประจํา (dB): 15.5 dB @ 1200 MHz (ผลประโยชน์เฉพาะอาจแตกต่างกันตามความถี่)
• ความดันการแยกของแหล่งระบายน้ํา (Vds): ไม่ระบุโดยตรง แต่ทรานซิสเตอร์ LDMOS โดยทั่วไปมีแรงดันการแยกสูง
• คอนเทนตูม ดรีนคอเรนต์ (Id): ไม่กําหนดโดยตรง แต่กําหนดโดยความต้องการการใช้งานและการออกแบบ
• ความดันของแหล่งประตู (Vgs): -6 V ถึง +10 V (ระยะสําหรับควบคุมความกระชับของประตู)
• การระบายพลังงาน (Pd): ไม่กําหนดโดยตรง แต่ต้องการการออกแบบการ dissipation ความร้อนที่ดีสําหรับการใช้งานพลังงานสูง

อุณหภูมิการทํางาน

• อุณหภูมิการทํางานสูงสุด: + 150 °C
• อุณหภูมิการทํางานขั้นต่ํา: -40 °C

ลักษณะการใช้งาน

• การใช้บริการเบนด์กว้าง: การเข้าและออกภายในที่ตรงกัน เพื่อการใช้งานและการใช้งานเบนด์กว้างที่สะดวก
• ความยืดหยุ่นในการตั้งค่า: สามารถใช้ได้ในรูปแบบปลายเดียว, ดัน-ดึง, หรือสี่เหลี่ยม
• ความแข็งแรงสูง: เหมาะสําหรับการใช้งานแบบกระแทก โดยเฉพาะอย่างยิ่งยอดในการใช้งานเรดาร์ L-band ทหารและพาณิชย์ที่มีพลังงานสูง

ข้อมูลเพิ่มเติม

• แพ็คเกจ/กรอบ: กล่อง SMD/SMT (Surface-Mount Device/Surface-Mount Technology) เหมาะสําหรับเทคโนโลยีการติดตั้งบนพื้นผิว
• จํานวนบรรจุ: ปกติจะบรรจุในปริมาณบางอย่าง (เช่น 50 ชิ้น) ต่อหน่วย