MT41K256M16TW-107:P แมมรี่การเข้าแบบสุ่มแบบไดนามิก ขนาด 4Gbit

MT41K256M16TW-107:P เป็นชิป DRAM (Dynamic Random Access Memory) ที่ผลิตโดย Micron ซึ่งเป็นชิปของ DDR3L (Low Voltage DDR3)

ปริมาตรพื้นฐาน

• ความจุเก็บของ: 4Gbit (คือ 256M x 16bit)
• ความกว้างของข้อมูล: 16 บิต
• ประเภทของแพคเกจ: FBGA-96 (อารายเกรดลูกบอลขนาดละเอียด 96 ปิน)
• ระยะความดัน: 1.283V ถึง 1.45V (สอดคล้องกับช่วงความดันต่ําของมาตรฐาน DDR3L)

ปริมาตรการทํางาน

• ความถี่ของนาฬิกา: สูงสุด 933MHz (แม้ว่าความถี่ในการทํางานจริงอาจแตกต่างกันขึ้นอยู่กับการออกแบบระบบและความต้องการการใช้งาน)
• เวลาเข้าถึง: ปกติเกี่ยวข้องกับความถี่การทํางาน แต่บางอ้างอิงกล่าวถึงเวลาการเข้าถึง 20 ns (อาจเป็นค่าการทดสอบในสภาพที่พิเศษ)
• ระยะอุณหภูมิการทํางาน: โดยทั่วไประหว่าง 0 °C ถึง 95 °C แต่อุณหภูมิการทํางานขั้นต่ําสามารถต่ําถึง -40 °C ตามแหล่งที่แตกต่างกัน

ลักษณะการทํางาน

• ความเหมาะสมในอดีต: รองรับการทํางานที่ 1.5V สําหรับความเหมาะสมกับอุปกรณ์ DDR3
• สตรอบข้อมูลแบบสองทิศ: สามารถส่งสัญญาณความแตกต่างเพื่อการปรับปรุงความมั่นคงของสัญญาณและความคุ้มกันเสียง
• สถาปัตยกรรม 8n-Prefetch: เพิ่มประสิทธิภาพการถ่ายทอดข้อมูล
• อินทุตนาฬิกาความแตกต่าง (CK, CK#): ใช้สัญญาณนาฬิกาความแตกต่างเพื่อลดความสับสนและเสียง
• ความช้า CAS ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CL), ความช้า ADDITIVE (AL), และ CAS Write Latency (CWL): ให้การตั้งค่าความช้าแบบยืดหยุ่น เพื่อรองรับความต้องการด้านการทํางานที่แตกต่างกัน
• รูปแบบอัพเดทเอง: สามารถอัตโนมัติอัพเดทข้อมูลความจําในช่วงเวลาว่างเพื่อป้องกันการสูญเสียข้อมูล

ข้อมูลเพิ่มเติม

• สอดคล้องกับ RoHS: ตอบสนองมาตรฐาน RoHS (การจํากัดสารอันตราย) ทําให้มันเป็นผลิตภัณฑ์ที่เป็นมิตรต่อสิ่งแวดล้อม
• สไตล์การติดตั้ง: อุปกรณ์ติดบนพื้นผิว (SMD/SMT) เหมาะสําหรับความต้องการในการลดขนาดและการบูรณาการของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ทันสมัย